Účelom tohto slovníka je ponúknuť Vám okamžité vysvetlenie klúčových pojmov v oblastí polovodičových materiálov, fyziky, elektrotechniky a iných.
Tento slovník je ešte len v procese tvorby. Našou snahou je doplniť ho novými termínami tak, aby bol užitočným pomocníkom pri štúdiu technických predmetov na FEI STU.
Veľmi radi uvítame Vašu pomoc vo forme Vašich návrhov, ktoré termíny by ste odporučili.
Špeciálny | A | B | C | D | E | F | G | H | CH | I | J | K | L | M | N
O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | VŠETKO
A |
|---|
 | acceptor | |
|---|---|---|
| element introduced to semiconductor to generate free hole (by "accepting" electron from semiconductor atom and "releasing" hole at the same time); acceptor atom must have one valence electron less than host semiconductor; boron (B) is the most common acceptor in silicon technology; alternatives include indium and gallium (gallium features high diffusivity in SiO2, and hence, oxide cannot be used as mask during Ga diffusion) | ||
 | adiabatická zmena (dej) | |
|---|---|---|
|
Zmena stavu, pri ktorej je termodynamická sústava tepelne izolovaná. | ||
| admitancia | |
|---|---|---|
| prevrátená hodnota impedancie; jednotka siemens (S) | ||
| aktívny prvok obvodu | |
|---|---|---|
|
Prvok, ktorý je trvalým zdrojom elektrickej energie (galvanický článok, …), ale za aktívne prvky sa považujú aj tranzistor, alebo elektrónka. | ||
| ampér | |
|---|---|---|
|
(A) - jednotka elektrického prúdu v SI, jedna zo siedmich základných jednotiek tejto sústavy; vodičom tečie prúd 1 A, keď jeho celým prierezom prejde za 1 sekundu elektrický náboj 1 coulomb; Presná definícia: Ampér je jednotka elektrického prúdu, predstavuje taký konštantný elektrický prúd pretekajúci dvomi priamymi rovnobežnými nekonečne dlhými vodičmi zanedbateľného kruhového prierezu, vzájomne vzdialenými 1 meter vo vákuu, ktorý vytvára medzi týmito vodičmi silu veľkosti 2.10-7 newtona na meter dĺžky. | ||
| ampérsekunda | |
|---|---|---|
(A × s) - iné vyjadrenie jednotky elektrického náboja - coulombu, prostredníctvom základných jednotiek SI: 1 C = 1 As . | ||
| amplitúda striedavého prúdu | |
|---|---|---|
Maximálna hodnota striedavého elektrického napätia; pri zápise časovej závislosti v tvare U = Uo sin(wt + j) , je to veličina Uo . | ||
| avalanche breakdown | |
|---|---|---|
| breakdown due to current increase caused by avalanche multiplication of charge carriers in the region featuring very high electric field.. | ||
| avalanche multiplication | |
|---|---|---|
| generation of electron-hole pairs due to impact ionization in a depleted region of a semiconductor (e.g. in a reverse-biased p-n junction) which causes other impact ionization events, and thus, further increasing the number of carriers. | ||
B |
|---|
| BiCMOS | |
|---|---|---|
| Bipolar CMOS; technology which combines bipolar and CMOS devices on the same chip. | ||